脈沖激光沉積 PLD
產(chǎn)品簡介
脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被稱為脈沖激光燒蝕(pulsed laserablation,PLA),是一種利用激光對物體進(jìn)行轟擊,然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。我公司依據(jù)實驗要求設(shè)計制作該款設(shè)備以適應(yīng)各類薄膜研究的需要。
我公司供應(yīng)的產(chǎn)品符合國家有關(guān)環(huán)保法律法規(guī)的規(guī)定(含采購商ISO14000的環(huán)境體系要求
產(chǎn)品詳細(xì)信息
| 產(chǎn)品型號: |
脈沖激光沉積PLD
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| 產(chǎn)品簡介: |
脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被稱為脈沖激光燒蝕(pulsed laserablation,PLA),是一種利用激光對物體進(jìn)行轟擊,然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。我公司依據(jù)實驗要求設(shè)計制作該款設(shè)備以適應(yīng)各類薄膜研究的需要。
我公司供應(yīng)的產(chǎn)品符合國家有關(guān)環(huán)保法律法規(guī)的規(guī)定(含采購商ISO14000的環(huán)境體系要求),不會造成環(huán)境污染;
該產(chǎn)品符合含采購商OHSMS18000職業(yè)**健康管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,不會對接觸產(chǎn)品的人員健康造成傷害!
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| 主要特點: |
1. 易獲得期望化學(xué)計量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性; 2. 沉積速率高,試驗周期短,襯底溫度要求低,制備的薄膜均勻; 3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié),對靶材的種類沒有限制; 4. 發(fā)展?jié)摿薮?,具有極大的兼容性; 5. 便于清潔處理,可以制備多種薄膜材料。 |
| 技術(shù)參數(shù): |
電源:單相50/60Hz 220v 加熱(功率)電源:2.5KW 16A 控制柜電源空氣開關(guān):25A空氣開關(guān) 薄膜生長室溫度:室溫1200℃ 靶材轉(zhuǎn)速:轉(zhuǎn)速20-30轉(zhuǎn)/分 質(zhì)量流量控制器的標(biāo)定:氮氣 質(zhì)量流量控制器的流量范圍:0-500sccm 機(jī)械泵抽氣速率:4L/S 薄膜生長室真空度:5min 約40mtor,20min 約15mtor,極限真空10mtor 爐腔內(nèi)徑:45mm 極熱溫區(qū):200mm 恒溫區(qū)長度:約100mm |
| 產(chǎn)品規(guī)格: | 凈重: |
| 可選配件: |
103高真空系統(tǒng)、供氣(混氣)系統(tǒng)、各種高純氧化鋁坩堝及石英坩堝、雙級旋片機(jī)械泵、高純度剛玉及石英爐管等 |
| 產(chǎn)品證書: | CE認(rèn)證 |
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