多通道質(zhì)量控制高真空PECVD管式爐系統(tǒng) PECVD
產(chǎn)品簡介
為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD) 我公司供應(yīng)的產(chǎn)品符合國家有關(guān)環(huán)保法律法規(guī)的規(guī)定(含采購商ISO14000環(huán)境體系的要求),不會造成環(huán)境污染; 該產(chǎn)品符合含采購商OHSMS18000職業(yè)**健康管理體系標準的要求,不會對接觸產(chǎn)品的人員健康造成傷害!
產(chǎn)品詳細信息
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產(chǎn)品型號: |
PECVD-等離子體增強化學(xué)氣相沉積法 |
| 產(chǎn)品簡介: |
為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD) 我公司供應(yīng)的產(chǎn)品符合國家有關(guān)環(huán)保法律法規(guī)的規(guī)定(含采購商ISO14000環(huán)境體系的要求),不會造成環(huán)境污染; 該產(chǎn)品符合含采購商OHSMS18000職業(yè)**健康管理體系標準的要求,不會對接觸產(chǎn)品的人員健康造成傷害! |
| 實驗機理: |
輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3 電子氣溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍 |
| 產(chǎn)品特點: |
雖環(huán)境溫度在100-300℃,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解,離解和離化,從而大大提高了反應(yīng)物的活性。 因此,這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜。 科晶公司提供定制的薄膜材料的實驗室質(zhì)量可靠、價格合理的緊湊型PECVD系統(tǒng)。 下圖顯示的是PECVD法用500V交流等離子體與OTF1200X50、7通道精密質(zhì)量流量計和高真空系統(tǒng)氣體組成
OTF-1200X開啟式管式爐,工作溫度高達1200℃ 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的組成圖 |
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技術(shù)參數(shù): |
工作溫度:1200℃ 爐管尺寸:Φ50,Φ60,Φ80都可用 溫度控制器:30段高精度數(shù)字可編程溫度控制器 加熱區(qū)長度:440mm 恒溫區(qū)長度:150mm 功率:AC 220V 4KW
輸出功率:50-500W*大可調(diào)±1%的穩(wěn)定性 RF頻率:2-150MHz的±0.005%穩(wěn)定可調(diào) 噪聲:≤55DB 冷卻:空氣冷卻 輸入功率:1KW AC 220V
采用KF25系列波紋管和精密球閥連接 真空度可達10-3torr 數(shù)字真空壓力表可直觀的顯示數(shù)值
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| 細節(jié)展示: |
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| 外型尺寸: |
爐體:550*380*520mm 供氣及真空系統(tǒng):600*600*597mm 凈重:120KG |
| 產(chǎn)品證書: | CE認證 |
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